Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

MMBT2369LT1G

TRANS NPN 15V 200MA SOT23-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
MMBT2369

MMBT2369LT1G Hakkında

MMBT2369LT1G, onsemi tarafından üretilen bir NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, SOT-23-3 (TO-236) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. Maksimum 200mA kollektör akımı, 15V kolektor-emitter gerilimi ve 225mW güç tüketim kapasitesine sahiptir. Maksimum 250mV doyum gerilimi ve minimum 40 (hFE) DC akım kazancı ile belirtilmiştir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığında kullanılan bu transistör, küçük sinyal amplifikasyonu, anahtarlama uygulamaları ve düşük-orta güç kontrol devreleri için uygun bir seçenektir. Son sipariş dönemi (Last Time Buy) statüsünde olup, portatif elektronik cihazlar, sensör arabirimleri ve genel amaçlı lojik kontrol uygulamalarında kullanılabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 200 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 400nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 10mA, 350mV
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Last Time Buy
Power - Max 225 mW
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 15 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok