Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

MMBT2369ALT3

SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
MMBT2369

MMBT2369ALT3 Hakkında

MMBT2369ALT3, Rochester Electronics tarafından üretilen yüksek kaliteli NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). Küçük sinyal uygulamalarına yönelik tasarlanan bu transistör, 200 mA maksimum kollektör akımı ve 225 mW maksimum güç yayılımı kapasitesine sahiptir. Surface mount teknolojisi ile TO-236-3 (SOT-23-3) paketinde sunulan bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışır. DC akım kazancı (hFE) 100mA ve 1V'de minimum 20 değerinde belirtilmiştir. 15V maksimum kollektör-emiter breakdown voltajı ve 500mV doyum voltajı (10mA taban akımı, 100mA kollektör akımında) ile anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde kullanılmaya uygundur. Aktif parça olması nedeniyle geniş ürün yelpazesinde tercih edilen bir bileşendir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 200 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 400nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 100mA, 1V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 225 mW
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 15 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok