Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

MMBT2222LT1G

TRANS NPN 30V 600MA SOT23-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
MMBT2222

MMBT2222LT1G Hakkında

MMBT2222LT1G, onsemi tarafından üretilen bir NPN bipolar junction transistördür (BJT). SOT-23-3 (TO-236) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, maksimum 30V kolektör-emitter gerilimi ve 600mA kolektör akımı ile çalışabilir. 250MHz transition frequency'ye sahip olan bileşen, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Maksimum 300mW güç tüketimi ile düşük güç uygulamaları, sinyal işleme devreleri, darbe şekillendirme ve lojik seviye değişim uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 600 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition 250MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 300 mW
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.6V @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok