Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
MMBT2222ALP4-7B
TRANS NPN 40V 0.6A 3DFN
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 3-XFDFN
- Seri / Aile Numarası
- MMBT2222A
MMBT2222ALP4-7B Hakkında
MMBT2222ALP4-7B, Diodes Incorporated tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, yüksek sıklık uygulamalarında genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon işlevleri için tasarlanmıştır. 40V kesme voltajı, 600mA maksimum kolektör akımı ve 300MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama operasyonlarına uygundir. 3-XFDFN yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 0.6A'e kadar akım yönetebilir ve -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Tüketici elektroniği, anahtarlama devreleri, sinyal amplifikasyonu ve endüstriyel kontrol uygulamalarında kullanılır. Düşük güç tüketimi (460mW) ve kompakt form faktörü ile PCB alanından tasarruf sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
| Frequency - Transition | 300MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-XFDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 460 mW |
| Supplier Device Package | X2-DFN1006-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok