Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

MMBT2222A

1A, 40V, NPN, TO-236AA

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
MMBT2222A

MMBT2222A Hakkında

MMBT2222A, Rochester Electronics tarafından üretilen yüksek hızlı NPN bipolar junction transistördür. TO-236-3 (SOT-23) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, 40V collector-emitter gerilimi ve 600mA maksimum collector akımı ile çalışır. 250MHz transition frequency'si sayesinde RF ve anahtarlama uygulamalarında etkili bir çözüm sunar. 250mW güç disipasyonu kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında, özellikle sinyal amplifikasyonu, anahtarlama devreleri ve ses frekansı uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve minimum 100 DC current gain sağlar. Surface mount teknolojisi nedeniyle yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 600 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition 250MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 250 mW
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok