Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
MMBT123S-7-F
TRANS NPN 18V 1A SOT23-3
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- MMBT123S
MMBT123S-7-F Hakkında
MMBT123S-7-F, Diodes Incorporated tarafından üretilen yüksek hızlı NPN bipolar junction transistördür. SOT-23-3 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 18V kolektör-emitter gerilimi ve 1A maksimum kolektör akımı ile çalışır. 100MHz transition frequency ile yüksek frekanslı uygulamalar için uygundur. Dc current gain değeri 100mA, 1V koşullarında 150 (minimum) olarak belirlenmiştir. 300mW güç derating ve -55°C ile +150°C arasında geniş çalışma sıcaklığı aralığı sunmaktadır. Ses amplifikatörleri, darbe devreleri, düşük sinyal uygulamaları ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Dikkat: Bu parça obsolete durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 150 @ 100mA, 1V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 300 mW |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 30mA, 300mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 18 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok