Transistörler - JFET

MMBFJ177LT1G

JFET P-CH 30V 0.225W SOT23-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
MMBFJ177

MMBFJ177LT1G Hakkında

MMBFJ177LT1G, onsemi tarafından üretilen P-channel JFET transistördür. SOT-23-3 yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, 30V'a kadar çalışır ve maksimum 225mW güç tüketebilir. 1.5mA drain akımı, 300 Ohm RDS(On) değeri ve 11pF giriş kapasitansı ile analog sinyal anahtarlama, zayıf sinyal amplifikasyonu ve impedans dönüştürme uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, endüstriyel, oto motiv ve tüketici elektronikleri uygulamalarında yer alır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 1.5 mA @ 15 V
FET Type P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 11pF @ 10V (VGS)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 225 mW
Resistance - RDS(On) 300 Ohms
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) 30 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id 800 mV @ 10 nA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok