Transistörler - JFET
MMBFJ177
P-CHANNEL JFET, TO-236AB
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - JFET
- Seri / Aile Numarası
- MMBFJ177
MMBFJ177 Hakkında
MMBFJ177, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel JFET transistörüdür. SOT-23-3 (TO-236AB) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 1.5 mA Idss değeri ve 300 Ohm RDS(On) direnci ile düşük güç tüketimine sahip tasarımlarda tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. 225 mW maksimum güç kapasitesi ile analog sinyal işleme, ses devreleri ve hassas ölçüm uygulamalarında kullanılabilir. 30 V breakdown voltajı ve 800 mV cutoff voltajı özellikleriyle, gürültü seviyesi düşük ön amplifikatör ve seçici devreler için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 1.5 mA @ 15 V |
| FET Type | P-Channel |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 225 mW |
| Resistance - RDS(On) | 300 Ohms |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) | 30 V |
| Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id | 800 mV @ 10 nA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok