Transistörler - JFET
MMBFJ175LT3G
JFET P-CH 30V 0.225W SOT23
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - JFET
- Seri / Aile Numarası
- MMBFJ175
MMBFJ175LT3G Hakkında
MMBFJ175LT3G, onsemi tarafından üretilen P-Channel Junction Field Effect Transistor (JFET) olup, 30V maksimum gate-source breakdown voltajında çalışır. 7 mA drain akımı (Vds=15V, Vgs=0) ve 225 mW güç dağıtma kapasitesine sahiptir. 125 Ohm RDS(On) değeri ile düşük sinyal uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon görevlerinde kullanılır. SOT-23-3 (TO-236) yüzey montajlı paketinde gelen bileşen, -55°C ile +150°C arasında stabil çalışır. Ses ön amplifikatörleri, RF uygulamaları ve düşük gürültülü sinyal işleme devrelerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 7 mA @ 15 V |
| FET Type | P-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 11pF @ 10V (VGS) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 225 mW |
| Resistance - RDS(On) | 125 Ohms |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) | 30 V |
| Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id | 3 V @ 10 nA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok