Transistörler - JFET
MMBFJ175LT1G
JFET P-CH 30V 0.225W SOT23-3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - JFET
- Seri / Aile Numarası
- MMBFJ175
MMBFJ175LT1G Hakkında
MMBFJ175LT1G, onsemi tarafından üretilen P-Channel JFET transistördür. 30V maksimum drain-gate breakdown voltajı ve 225mW güç kapasitesi ile düşük sinyal uygulamalarında kullanılır. 7mA drain akımı (Idss) ve 125Ω RDS(On) direnci ile analog switch, voltage-controlled resistor ve sinyal anahtarlama devrelerinde yer alır. SOT-23-3 surface mount paketi kompakt tasarımlara olanak tanır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklık aralığına sahip olması geniş ortam koşullarında güvenilir performans sağlar. Ses amplifikatörleri, enstrümentasyon cihazları ve düşük gürültü analog devreler için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 7 mA @ 15 V |
| FET Type | P-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 11pF @ 10V (VGS) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 225 mW |
| Resistance - RDS(On) | 125 Ohms |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) | 30 V |
| Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id | 3 V @ 10 nA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok