Transistörler - JFET

MMBFJ175

P-CHANNEL JFET, TO-236AB

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
MMBFJ175

MMBFJ175 Hakkında

MMBFJ175, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel JFET transistördür. Surface mount SOT-23-3 (TO-236AB) paketinde sunulan bu komponent, 7 mA drain akımı (Idss) ve 125 Ohm RDS(On) direnci ile karakterize edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, 225 mW maksimum güç dağıtabilir. 30 V breakdown voltajı ve 3 V cutoff voltajı ile analog anahtarlama, sinyal yönetimi ve düşük frekans uygulamalarında kullanılır. Küçük paket boyutu sayesinde kompakt tasarımlara uygun olup, düşük gürültü ve düşük distorsiyon gerektiren uygulamalarda tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 7 mA @ 15 V
FET Type P-Channel
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 225 mW
Resistance - RDS(On) 125 Ohms
Supplier Device Package SOT-23-3
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) 30 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id 3 V @ 10 nA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok