Transistörler - JFET

MMBFJ113

JFET N-CH 35V 350MW SOT23

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
MMBFJ113

MMBFJ113 Hakkında

MMBFJ113, onsemi tarafından üretilen N-Channel JFET transistördür. Surface mount SOT-23-3 paketinde sunulan bu komponent, 35V breakdown voltajı ve 350mW maksimum güç derecelendirmesi ile çalışır. Idss değeri 2mA @ 15V olup, RDS(On) direnci 100 Ohm'dur. -55°C ile +150°C arasında stabil çalışan bu transistör, analog sinyal anahtarlaması, düşük gürültülü ön amplifikasyon, kontrollü empedans uygulamaları ve RF devrelerine entegre edilebilir. Yüksek giriş empedansı ve düşük gürültü karakteristiği sayesinde hassas ölçüm devreleri ve ses işleme uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 2 mA @ 15 V
FET Type N-Channel
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 350 mW
Resistance - RDS(On) 100 Ohms
Supplier Device Package SOT-23-3
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) 35 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id 500 mV @ 1 µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok