Transistörler - JFET
MMBFJ112
JFET N-CH 35V 0.35W SOT-23
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - JFET
- Seri / Aile Numarası
- MMBFJ112
MMBFJ112 Hakkında
MMBFJ112, onsemi tarafından üretilen N-Channel Junction Field Effect Transistor (JFET) bileşenidir. SOT-23 yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, maksimum 350 mW güç tüketimi ve 35V breakdown voltajı ile karakterizedir. 50 Ohm RDS(On) direncine sahip olan MMBFJ112, 5 mA Idss değeri ile çalışır ve -55°C ile 150°C arasındaki geniş sıcaklık aralığında kullanılabilir. Düşük sinyal amplifikasyon uygulamaları, anahtarlama devreleri, impedans dönüştürücüler ve analog sinyal işleme sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. Küçük boyutu ve yüzey montaj özelliği sayesinde kompakt elektronik tasarımlar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 5 mA @ 15 V |
| FET Type | N-Channel |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 350 mW |
| Resistance - RDS(On) | 50 Ohms |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) | 35 V |
| Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id | 1 V @ 1 µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok