Transistörler - JFET

MMBFJ111

JFET N-CH 35V 350MW SOT23-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
MMBFJ111

MMBFJ111 Hakkında

MMBFJ111, onsemi tarafından üretilen N-Channel Junction Field Effect Transistor (JFET) olup, yüksek frekans ve düşük gürültü uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 35V breakdown voltajı ve 350mW maksimum güç derecelendirmesi ile, bu transistör ses ön amplifikatörleri, yüksek empedans giriş aşamaları ve analog switch uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 30Ω RDS(On) değeri ve 20mA drain akımı ile hızlı anahtarlama özelliği sağlar. Surface mount SOT-23-3 paketi ile kompakt tasarımlar için uygundur. -55°C ile +150°C arasında geniş çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans gösterir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 20 mA @ 15 V
FET Type N-Channel
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 350 mW
Resistance - RDS(On) 30 Ohms
Supplier Device Package SOT-23-3
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) 35 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id 3 V @ 1 µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok