Transistörler - JFET

MMBF4391LT1G

JFET N-CH 30V 0.225W SOT23-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
MMBF4391

MMBF4391LT1G Hakkında

MMBF4391LT1G, onsemi tarafından üretilen N-channel JFET transistördür. 30V drain-source gerilim kapasitesine sahip bu bileşen, 50mA Idss (Vgs=0V'de) ile karakterize edilmiştir. 225mW maksimum güç dağıtım kapasitesi ve 30Ω RDS(on) direnci ile küçük sinyal anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. SOT-23-3 yüzey montaj paketinde sunulan komponent, geniş -55°C ~ 150°C çalışma sıcaklığı aralığında stabildir. 14pF input kapasitanası ve 4V cutoff gerilimi ile RF ve analog devre tasarımlarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 50 mA @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 14pF @ 15V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 225 mW
Resistance - RDS(On) 30 Ohms
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) 30 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id 4 V @ 10 nA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok