RF Diyotlar

MMBD352LT1G

DIODE SCHOTTKY 7V 225MW SOT23-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Kategori
RF Diyotlar
Seri / Aile Numarası
MMBD352

MMBD352LT1G Hakkında

MMBD352LT1G, onsemi tarafından üretilen 1 çift seri bağlı Schottky diyottur. 7V maksimum reverse voltajı ve 225mW güç tüketim kapasitesi ile RF uygulamalarında ve sinyal anahtarlama devrelerinde kullanılır. SOT-23-3 kompakt paketinde sunulan bu diyot, düşük kapasitans (1pF @ 0V, 1MHz) özelliği sayesinde yüksek frekans uygulamalarında hızlı anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığına sahip olup, RF filtreleme, RF detektörleme ve diode mixer uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Capacitance @ Vr, F 1pF @ 0V, 1MHz
Diode Type Schottky - 1 Pair Series Connection
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 225 mW
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Voltage - Peak Reverse (Max) 7V

Kaynaklar

Datasheet

MMBD352LT1G PDF

İndir →

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok