Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

MJE5852G

TRANS PNP 400V 8A TO220AB

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
MJE5852G

MJE5852G Hakkında

MJE5852G, Rochester Electronics tarafından üretilen high-voltage PNP bipolar junction transistördür. 400V collector-emitter breakdown voltajı ve 8A maksimum collector akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, 80W maksimum güç dağıtımına sahiptir. -65°C ile 150°C arasında çalışabilen MJE5852G, switching uygulamaları, güç amplifikatörleri ve motor kontrol devrelerinde yaygın olarak tercih edilir. 5V saturasyon voltajı ve minimum 5 hFE akım kazancı ile stabil performans sağlar. Through-hole montaj tipi ile geleneksel PCB tasarımlarına uyumludur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 8 A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 5 @ 5A, 5V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power - Max 80 W
Supplier Device Package TO-220
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 5V @ 3A, 8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 400 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok