Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

MJE5851G

TRANS PNP 350V 8A TO220AB

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
MJE5851G

MJE5851G Hakkında

MJE5851G, onsemi tarafından üretilen yüksek voltaj PNP bipolar jonksiyon transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponent, 350V maksimum Vce(br) ve 8A maksimum kolektör akımı ile karakterizedir. 80W maksimum güç dağıtma kapasitesine sahip olan transistör, -65°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. DC akım kazancı 5V Vce ve 5A Ic koşullarında minimum 5'tir. Through-hole montaj tipi ile PCB'ye doğrudan lehimleme yöntemiyle tutturulur. Power amplifier uygulamaları, ses amplifikasyon devreleri, güç anahtarlama uygulamaları ve sürücü devrelerinde yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 8 A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 5 @ 5A, 5V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power - Max 80 W
Supplier Device Package TO-220
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 5V @ 3A, 8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 350 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok