Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

MJE5731G

TRANS PNP 350V 1A TO220AB

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
MJE5731

MJE5731G Hakkında

MJE5731G, Rochester Electronics tarafından üretilen PNP bipolar junction transistör (BJT) olup, TO-220-3 paketinde sunulmaktadır. Maksimum 1A kollektör akımı ve 350V gerilim dayanımı ile orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 40W maksimum güç disipasyonuna sahip bu transistör, 30 minimum DC akım kazancı (hFE) ve 10MHz geçiş frekansı ile switch ve amplifier devrelerde uygulanabilir. -65°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanım imkanı sunar. Audio amplifikasyonu, güç kontrol devreleri ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilen bir komponenttir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 1 A
Current - Collector Cutoff (Max) 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition 10MHz
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power - Max 40 W
Supplier Device Package TO-220
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 200mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 350 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok