Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
MJE521G
TRANS NPN 40V 4A TO225AA
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-225AA
- Seri / Aile Numarası
- MJE521G
MJE521G Hakkında
MJE521G, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 40V maksimum kolektör-emitter bozulma gerilimi ve 4A maksimum kolektör akımı ile çalışan bu transistör, 40W güç kapasitesine sahiptir. TO-225AA (TO-126) paketlemesi ile Through Hole montajı destekleyen MJE521G, -65°C ile 150°C arasında çalışabilir. 1A kolektör akımında 40V ile 1V koşullarında minimum 40 DC akım kazancı (hFE) sağlar. Motor sürücüleri, güç anahtarlaması devreleri ve orta seviye RF uygulamalarında kullanılan bu bileşen artık üretilmemektedir (Obsolete status).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 4 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 1A, 1V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-225AA, TO-126-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 40 W |
| Supplier Device Package | TO-126 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok