Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

MJE350G

TRANS PNP 300V 500MA TO225AA

Paket/Kılıf
TO-225AA
Seri / Aile Numarası
MJE350G

MJE350G Hakkında

MJE350G, Rochester Electronics tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-225AA (TO-126) paketinde sunulan bu komponent, 300V kolektör-emiter kırılma gerilimi ve 500mA maksimum kolektör akımı ile karakterizedir. 20W maksimum güç tüketimi kapasitesine sahiptir. -65°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, güç amplifikasyon uygulamalarında, anahtar devrelerinde ve ses frekansı kuvvetlendirme (audio amplifier) tasarımlarında yaygın olarak kullanılır. 30 minimum DC akım taşıma oranı (hFE) ile düşük sinyal seviyelerinden yüksek akım seviyelerine sürücülük yapabilir. Through hole montaj tipi ile PCB'lere doğrudan lehimlenir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 500 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 50mA, 10V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-225AA, TO-126-3
Part Status Active
Power - Max 20 W
Supplier Device Package TO-126
Transistor Type PNP
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 300 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok