Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

MJE200G

TRANS NPN 40V 5A TO225AA

Paket/Kılıf
TO-225AA
Seri / Aile Numarası
MJE200G

MJE200G Hakkında

MJE200G, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN tipi bipolar transistördür. 40V collector-emitter breakdown voltajı ve 5A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygun tasarlanmıştır. 15W maksimum güç çıkışı, 65MHz transition frequency ve -65°C ile 150°C arasında geniş çalışma sıcaklık aralığı sunar. Düşük Vce saturation voltajı (1.8V @ 1A, 5A) ile enerji verimliliği sağlar. TO-225AA/TO-126 Through Hole paketleriyle endüstriyel kontrol devreleri, güç yönetimi uygulamaları ve amplifikasyon çevrelerinde yaygın olarak kullanılır. ICBO maksimum 100nA ile minimal sızıntı akımına sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 5 A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition 65MHz
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-225AA, TO-126-3
Part Status Active
Power - Max 15 W
Supplier Device Package TO-126
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.8V @ 1A, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok