Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
MJE182
T-NPN SI- AF PO
- Üretici
- NTE Electronics, Inc.
- Paket/Kılıf
- TO-225AA
- Seri / Aile Numarası
- MJE182
MJE182 Hakkında
MJE182, NTE Electronics tarafından üretilen silisyum NPN bipolar junction transistörlüdür. TO-225AA ve TO-126-3 paketlerinde sunulan bu transistör, 3A maksimum collector akımı ve 80V collector-emitter breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 50 MHz transition frequency ile RF ve ses frekansı devrelerinde, 50 minimum DC current gain ile anahtarlama ve amplifikasyon işlemlerinde uygulanabilir. 12.5W maksimum güç dissipasyonu ve 150°C çalışma sıcaklığı ile endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında, motor kontrol devrelerinde, güç anahtarlama uygulamalarında ve ses amplifikatörlerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 100mA, 1V |
| Frequency - Transition | 50MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-225AA, TO-126-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 12.5 W |
| Supplier Device Package | SOT-32-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.7V @ 600mA, 3A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok