Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
MJE181G
TRANS NPN 60V 3A TO225AA
MJE181G Hakkında
MJE181G, onsemi tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-225AA (TO-126) paketinde sunulan bu transistör, maksimum 60V kolektör-emitter gerilimi ve 3A kolektör akımı kapasitesine sahiptir. 1.5W güç disipasyon sınırı ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. Minimum 50 DC current gain (hFE) ve 50MHz transition frequency özelliğine sahip olan MJE181G, -65°C ile +150°C arasında çalışabilir. Düşük ICBO (100nA) değeri ile sızıntı akımı minimumdur. Audio amplifikatörleri, kontrol devreleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 100mA, 1V |
| Frequency - Transition | 50MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-225AA, TO-126-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.5 W |
| Supplier Device Package | TO-126 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.7V @ 600mA, 3A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok