Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

MJE15035G

TRANS PNP 350V 4A TO220AB

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
MJE15035G

MJE15035G Hakkında

MJE15035G, Rochester Electronics tarafından üretilen PNP bipolar junction transistördür (BJT). TO-220-3 paketinde sunulan bu komponentin maksimum collector akımı 4A, collector-emitter gerilim sınırı 350V'tur. 2W maksimum güç dissipasyonuna sahip olan transistör, 30MHz transition frequency ile orta hızlı uygulamalarda kullanılabilir. Operating temperature aralığı -65°C ile 150°C arasındadır. Vce saturation değeri 500mV (100mA, 1A koşullarında) olup anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde tercih edilir. Through hole montaj tipi ile geleneksel PCB tasarımlarında yaygın olarak uygulanır. Orta güç anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri ve endüstriyel elektronik sistemlerinde kullanım alanı bulur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 4 A
Current - Collector Cutoff (Max) 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 10 @ 2A, 5V
Frequency - Transition 30MHz
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power - Max 2 W
Supplier Device Package TO-220
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 100mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 350 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok