Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
MJD5731T4G
TRANS PNP 350V 1A DPAK
MJD5731T4G Hakkında
MJD5731T4G, onsemi tarafından üretilen yüksek gerilim PNP bipolar junction transistördür. 350V kolektör-emitter ters kırılma gerilimi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Maksimum 1A kolektör akımı ve 1.56W güç dağıtımı kapasitesi ile anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde, özellikle yüksek gerilim ortamlarında uygulanır. TO-252 (DPak) yüzey montajlı paket ile kompakt tasarımlar için elverişlidir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Endüstriyel kontrol, anahtarlamalar ve güç yönetim uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 300mA, 10V |
| Frequency - Transition | 10MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.56 W |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 200mA, 1A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 350 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok