Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

MJD5731T4

TRANS PNP 350V 1A DPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
MJD5731

MJD5731T4 Hakkında

MJD5731T4, onsemi tarafından üretilen yüksek voltaj PNP bipolar transistörüdür. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu transistör, 350V kolektör-emitör kırılma gerilimi ve 1A maksimum kolektör akımı ile tasarlanmıştır. DC akım kazancı (hFE) 30 (300mA, 10V'de), transition frekansı 10MHz ve maksimum güç dağıtımı 1.56W'tır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu bileşen, düşük-orta frekanslı anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde ve yüksek voltaj anahtarlama işlemlerinde kullanılır. Surface mount tipi montajı ve kompakt yapısı, modern elektronik tasarımlarında yer tasarrufu sağlar. Komponentin bulunduğu paket, endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamaları için uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 1 A
Current - Collector Cutoff (Max) 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition 10MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power - Max 1.56 W
Supplier Device Package DPAK
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 200mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 350 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok