Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
MJD50T4G
TRANS NPN 400V 1A DPAK
MJD50T4G Hakkında
MJD50T4G, onsemi tarafından üretilen yüksek voltaj NPN bipolar transistördür. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 400V kolektör-emiter kırılma voltajı ve 1A maksimum kolektör akımı ile güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 1.56W maksimum güç dağıtımı kapasitesi, 30 minimum DC akım kazancı ve 10MHz geçiş frekansı özellikleri ile anahtarlama devrelerinde, motor kontrolü, güç yönetimi ve elektrik arayüz uygulamalarında tercih edilir. -65°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığında dayanıklı performans sağlayan bu transistör, endüstriyel ve tüketim elektroniği tasarımlarında yerini almış bir standarttır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 200µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 300mA, 10V |
| Frequency - Transition | 10MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.56 W |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 200mA, 1A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 400 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok