Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
MJD50G
TRANS NPN 400V 1A DPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Seri / Aile Numarası
- MJD50G
MJD50G Hakkında
MJD50G, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN bipolar transistördür. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 1A kollektör akımı ve 400V yıkılma gerilimi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 1.56W maksimum güç dağılımı kapasitesiyle motor sürücüleri, anahtarlama devreleri ve güç yönetim uygulamalarında yer alır. -65°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahip olup, 10MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama gerekli endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 200µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 300mA, 10V |
| Frequency - Transition | 10MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.56 W |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 200mA, 1A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 400 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok