Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
MJD47T4G
TRANS NPN 250V 1A DPAK
MJD47T4G Hakkında
MJD47T4G, onsemi tarafından üretilen yüksek gerilim NPN BJT transistörüdür. 250V collector-emitter breakdown voltajı ile güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. Maksimum 1A collector akımı ve 1.56W güç tüketimi kapasitesi ile switching ve amplifikasyon devreleri için tasarlanmıştır. Surface mount TO-252 (DPak) paketinde sunulan bileşen, endüstriyel uygulamalar, motor kontrol devreleri, güç kaynakları ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -65°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 200µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 300mA, 10V |
| Frequency - Transition | 10MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.56 W |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 200mA, 1A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 250 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok