Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

MJD45H11TM

TRANS PNP 80V 8A DPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
MJD45H11

MJD45H11TM Hakkında

MJD45H11TM, onsemi tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 80V collector-emitter breakdown voltajı ve 8A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 1.75W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile ses amplifikasyonu, motor kontrol devreleri, anahtarlama uygulamaları ve güç yönetimi sistemlerinde tercih edilmektedir. 40MHz transition frekansı ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirilebilir. Maksimum 150°C junction sıcaklığında çalışabilir ve 40 (minimum) DC current gain değerine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 8 A
Current - Collector Cutoff (Max) 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition 40MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power - Max 1.75 W
Supplier Device Package D-Pak
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 400mA, 8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok