Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
MJD45H11TM
POWER BIPOLAR TRANSISTOR
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Seri / Aile Numarası
- MJD45H11
MJD45H11TM Hakkında
MJD45H11TM, Rochester Electronics tarafından üretilen PNP tipi güç transistörüdür. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 8A kolektör akımı ve 80V kesme gerilimi ile tasarlanmıştır. 1.75W maksimum güç dağıtabilme kapasitesine sahip olan transistör, 40MHz transit frekansı ile orta hızlı uygulamalara uygundur. Vce saturasyon gerilimi 1V'ta 8A akım için 1V'tur. 150°C'ye kadar çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar. DC akım kazancı (hFE) 4A, 1V koşullarında minimum 40'tır. Güç amplifikasyon, anahtarlama ve motor kontrol devrelerinde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 8 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 4A, 1V |
| Frequency - Transition | 40MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.75 W |
| Supplier Device Package | TO-252-3 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 400mA, 8A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok