Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

MJD45H11TF

POWER BIPOLAR TRANSISTOR

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
MJD45H11

MJD45H11TF Hakkında

MJD45H11TF, Rochester Electronics tarafından üretilen PNP tipinde güç transistörüdür. TO-252-3 (DPak) paket formatında sunulan bu bileşen, maksimum 8A collector akımı, 80V VCEO dağılım voltajı ve 1.75W güç dağıtım kapasitesi ile çalışır. 40MHz transition frequency ile, 150°C'ye kadar çalışan bu transistör, darbe devrelerinde, anahtarlama uygulamalarında ve ses frekansı amplifikasyonunda kullanılır. Düşük collector cutoff akımı (10µA) ve 1V saturasyon voltajı sayesinde sürücü devrelerinde ve güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 8 A
Current - Collector Cutoff (Max) 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition 40MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power - Max 1.75 W
Supplier Device Package TO-252-3
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 400mA, 8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok