Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

MJD45H11T4

TRANS PNP 80V 8A D-PAK

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
MJD45H11

MJD45H11T4 Hakkında

MJD45H11T4, STMicroelectronics tarafından üretilen PNP bipolar junction transistördür. TO-252 (DPak) surface mount paketinde sunulan bu transistör, maksimum 80V collector-emitter gerilimi ve 8A collector akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 20W maksimum güç dissipasyonu ve 150°C çalışma sıcaklığına sahiptir. 1V maksimum Vce saturation değeri ile komütasyon işlemlerinde düşük enerji kaybı sağlar. Güç amplifikatörleri, motor kontrol devreleri, anahtarlama uygulamaları ve DC power supply tasarımlarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 8 A
Current - Collector Cutoff (Max) 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 4A, 1V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power - Max 20 W
Supplier Device Package DPAK
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 400mA, 8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok