Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

MJD45H11J

MJD45H11/SOT428/DPAK

Üretici
Nexperia
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
MJD45H11

MJD45H11J Hakkında

MJD45H11J, Nexperia tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, maksimum 8A kollektor akımı ve 80V çalışma voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 1.75W güç tüketim kapasitesi, 80MHz geçiş frekansı ve 60 minimum DC akım kazancı özellikleriyle, motor kontrol, güç anahtarlaması, amplifikasyon ve ses devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. Maksimum 150°C işletme sıcaklığında çalışabilen bu transistör, hızlı anahtarlamaya ihtiyaç duyan endüstriyel ve tüketici elektroniği tasarımlarında yer alır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 8 A
Current - Collector Cutoff (Max) 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition 80MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power - Max 1.75 W
Supplier Device Package DPAK
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 400mA, 8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok