Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
MJD45H11G
TRANS PNP 80V 8A DPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Seri / Aile Numarası
- MJD45H11G
MJD45H11G Hakkında
MJD45H11G, Rochester Electronics tarafından üretilen yüksek akım PNP bipolar transistördür. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, maksimum 8A kolektör akımı ve 80V gerilim toleransı ile tasarlanmıştır. 1.75W güç yönetim kapasitesine sahip olan bileşen, -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında güvenilir çalışma sunar. 90MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. Minimum 40 DC current gain (hFE) değeri ile 4A akımda 1V vce'de güçlü anahtarlama performansı sağlar. Güç kaynağı yönetimi, motor kontrolü ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 8 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 4A, 1V |
| Frequency - Transition | 90MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.75 W |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 400mA, 8A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok