Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

MJD45H11-1G

TRANS PNP 80V 8A IPAK

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
MJD45H11

MJD45H11-1G Hakkında

MJD45H11-1G, Rochester Electronics tarafından üretilen yüksek akım kapasiteli PNP tipinde bipolar transistördür. TO-251-3 (IPAK) paketinde sunulan bu komponent, maksimum 8A collector akımı ve 80V breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanılabilir. 90MHz transition frequency'si ile anahtarlama hızı gerekli devrelerde tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilme aralığı geniş sıcaklık ortamlarında kullanılmasına imkan sağlar. 1.75W maksimum güç dağılımı kapasitesi vardır. Tipik olarak amplifikasyon devreleri, motor kontrol uygulamaları ve güç anahtarlama devrelerinde yer alır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 8 A
Current - Collector Cutoff (Max) 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition 90MHz
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Active
Power - Max 1.75 W
Supplier Device Package I-PAK
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 400mA, 8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok