Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

MJD44H11TM-ON

POWER BIPOLAR TRANSISTOR

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
MJD44H11

MJD44H11TM-ON Hakkında

MJD44H11TM-ON, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN tipinde bir power bipolar transistördür. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 8A collector akımı ve 80V collector-emitter breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarına uygundur. 1.75W maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahip olan transistör, 50MHz transition frequency'si ile anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde kullanılabilir. 150°C çalışma sıcaklığına dayanabilen MJD44H11TM-ON, motor kontrol, anahtarlamalı güç kaynakları ve genel amplifikasyon uygulamalarında tercih edilir. Minimum 60 @ 2A, 1V DC current gain değeri ile stabil performans sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 8 A
Current - Collector Cutoff (Max) 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition 50MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power - Max 1.75 W
Supplier Device Package TO-252-3 (DPAK)
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 400mA, 8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok