Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

MJD44H11TF

8 A, 80 V NPN POWER BIPOLAR JUNC

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
MJD44H11

MJD44H11TF Hakkında

MJD44H11TF, Rochester Electronics tarafından üretilen 8A maksimum kolektör akımı ve 80V kırılma gerilimi ile çalışan NPN tipi power bipolar junction transistördür. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 50MHz transition frekansı ve 1.75W maksimum güç dağılım kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 150°C maksimum işletme sıcaklığında -40 @ 1V Vce doyma gerilimi ile motorlar, solenoidler, röleleri kontrol etmek gibi endüstriyel kontrol devrelerine, güç yönetim sistemlerine ve anahtarlama uygulamalarına uygun bir transistördür. 40 minimum DC akım kazancı (hFE) ile tasarımlanmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 8 A
Current - Collector Cutoff (Max) 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition 50MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power - Max 1.75 W
Supplier Device Package D-Pak
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 400mA, 8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok