Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

MJD44H11T5G

TRANS NPN 80V 8A DPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
MJD44H11

MJD44H11T5G Hakkında

MJD44H11T5G, onsemi tarafından üretilen yüksek akım kapasiteli NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, 80V kolektör-emitter gerilimi ve 8A maksimum kolektör akımı ile tasarlanmıştır. Surface Mount TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu transistör, 85MHz transition frequency ve 1.75W maksimum güç kapasitesine sahiptir. Minimum 40 hFE DC akım kazancı ile güçlü akım kütleştirmesi sağlar. Geniş çalışma sıcaklığı aralığında (-55°C ~ 150°C) stabil performans sunan bu transistör, güç amplifikasyon, anahtar uygulamaları ve motor kontrol devrelerinde kullanılmaya uygundur. Hızlı anahtarlama özelliği sayesinde PWM uygulamalarında da tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 8 A
Current - Collector Cutoff (Max) 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition 85MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power - Max 1.75 W
Supplier Device Package DPAK
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 400mA, 8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok