Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

MJD44H11G

TRANS NPN 80V 8A DPAK

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
MJD44H11G

MJD44H11G Hakkında

MJD44H11G, Rochester Electronics tarafından üretilen yüksek akım kapasiteli NPN bipolar transistördür. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketi ile sunulan bu bileşen, maksimum 80V collector-emitter gerilimi ve 8A collector akımı ile çalışabilir. 1.75W güç tüketim limiti ile orta güç uygulamalarında tercih edilir. 85MHz transition frequency değeri ile hızlı anahtarlama işlemlerine uygun tasarlanmıştır. -55°C ile 150°C aralığında çalışabilen bu transistör, güç kaynakları, motor sürücüleri, ses amplifikatörleri ve endüstriyel kontrol devreleri gibi uygulamalarda kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 8 A
Current - Collector Cutoff (Max) 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition 85MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power - Max 1.75 W
Supplier Device Package DPAK
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 400mA, 8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok