Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
MJD41CTF
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Seri / Aile Numarası
- MJD41C
MJD41CTF Hakkında
MJD41CTF, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN epitaxial silicon transistor'dür. Surface mount TO-252 (D-Pak) paketinde sunulan bu component, 6A maksimum collector akımı ve 100V collector-emitter breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 1.75W maksimum güç derecelendirilmesi, 150°C'ye kadar işletme sıcaklığında stabil çalışma ve 3MHz transition frequency'si sayesinde anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde yer alabilir. 3A akımda 15'lik minimum DC current gain (hFE) değeri, tutarlı transistor davranışı sağlar. Saturation voltajı maksimum 1.5V olan bu transistor, güç kaynakları, motor kontrol uygulamaları ve endüstriyel elektronik sistemlerinde tercih edilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 6 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 15 @ 3A, 4V |
| Frequency - Transition | 3MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.75 W |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 600mA, 6A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok