Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
MJD41CT4G
TRANS NPN 100V 6A DPAK
MJD41CT4G Hakkında
MJD41CT4G, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür. 100V collector-emitter breakdown voltajı ve 6A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlar için uygundur. 1.75W maksimum güç dağıtımı kapasitesiyle motor kontrol, güç anahtarlaması, LED sürücüsü ve ses amplifikasyon devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. -65°C ile 150°C arasındaki çalışma sıcaklık aralığı geniş sıcaklık koşullarında güvenilir operasyon sağlar. 3MHz transition frequency ve 15 (minimum) DC current gain özellikleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarında etkin bir çözüm sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 6 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 15 @ 3A, 4V |
| Frequency - Transition | 3MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.75 W |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 600mA, 6A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok