Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
MJD340TF
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Seri / Aile Numarası
- MJD340
MJD340TF Hakkında
MJD340TF, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN epitaxial silicon transistör olup yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, maksimum 500mA collector akımı, 300V collector-emitter breakdown voltajı ve 1.56W güç dağıtım kapasitesi ile orta güç anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde çalışmaktadır. DC current gain (hFE) değeri 50mA ve 10V koşullarında minimum 30 olarak belirtilmiştir. 150°C'ye kadar işletme sıcaklığında kararlı çalışan bu transistör, özellikle güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve ses amplifikatörü uygulamalarında tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 50mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.56 W |
| Supplier Device Package | D-Pak |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 300 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok