Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
MJD32T4G
TRANS PNP 40V 3A DPAK
MJD32T4G Hakkında
MJD32T4G, onsemi tarafından üretilen Surface Mount PNP tipi Bipolar Junction Transistör (BJT) olup TO-252-3 (DPak) paketinde sunulmaktadır. Maksimum 40V Vce (Collector-Emitter) gerilimi ve 3A kolektör akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 1.56W maksimum güç dağıtım kapasitesi ile söz konusu transistör, anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde yer almaktadır. -65°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sunar. 3MHz transition frequency değeri ile genel amaçlı ve düşük frekans uygulamalarında tercih edilir. Yüksek yük akımı gerektiren motor kontrol, güç yönetimi ve sürücü devrelerinde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 10 @ 3A, 4V |
| Frequency - Transition | 3MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.56 W |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.2V @ 375mA, 3A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok