Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
MJD32CTM
TRANS PNP 100V 3A DPAK
MJD32CTM Hakkında
MJD32CTM, onsemi tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-252-3 (DPak) yüzey montajlı paket ile sunulmaktadır. Maximum 100V Vce darbelenme gerilimi ve 3A kolektör akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 1.56W maksimum güç dissipasyonuna sahip bu transistör, audio amplifikatörleri, motor sürücüleri, anahtarlama devreleri ve genel amaçlı güç yönetimi uygulamalarında yer alabilir. 3MHz geçiş frekansı ile DC ve düşük frekans uygulamalarında tercih edilir. Maksimum çalışma sıcaklığı 150°C'dir. Obsolete durumundaki bu bileşen, eski tasarımlarda ve bakım çalışmalarında bulunabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 10 @ 3A, 4V |
| Frequency - Transition | 3MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.56 W |
| Supplier Device Package | D-Pak |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.2V @ 375mA, 3A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok