Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
MJD32CTM
TRANS PNP 100V 3A DPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Seri / Aile Numarası
- MJD32CTM
MJD32CTM Hakkında
MJD32CTM, Rochester Electronics tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. Maksimum 100V collector-emitter gerilimi ve 3A collector akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarına uygundur. 1.56W maksimum güç harcaması ve 3MHz transition frekansı ile genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde kullanılabilir. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilmesi gömülü sistemlerde ve termal stres altındaki ortamlarda tercih edilebilir. Vce saturasyon gerilimi 1.2V (375mA taban akımında, 3A collector akımında) olup, söndürme işleminde düşük güç kaybı sağlar. Düşük hFE değeri (10 @ 3A, 4V) yüksek akım uygulamalarında tasarımda dikkate alınmalıdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 10 @ 3A, 4V |
| Frequency - Transition | 3MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.56 W |
| Supplier Device Package | TO-252-3 (DPAK) |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.2V @ 375mA, 3A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok