Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
MJD32CTF
POWER BIPOLAR TRANSISTOR
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Seri / Aile Numarası
- MJD32CTF
MJD32CTF Hakkında
MJD32CTF, Rochester Electronics tarafından üretilen bir PNP tipi güç bipolar transistörüdür. Surface mount TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu transistör, 3A maksimum collector akımı ve 100V collector-emitter breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanılmaktadır. 1.56W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile anahtarlama ve amplifikasyon devreleri için tasarlanmıştır. 150°C junction sıcaklığına kadar çalışabilen bu bileşen, endüstriyel kontrol, motor sürücüleri, güç kaynakları ve ses amplifikatörleri gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılır. 25 minimum DC akım kazancı (hFE) ve 3MHz transition frekansı ile orta hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 25 @ 1A, 4V |
| Frequency - Transition | 3MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.56 W |
| Supplier Device Package | TO-252-3 (DPAK) |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.2V @ 375mA, 3A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok