Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

MJD31T4G

TRANS NPN 40V 3A DPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
MJD31T4G

MJD31T4G Hakkında

MJD31T4G, onsemi tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). Surface mount DPAK (TO-252-3) paketinde sunulan bu transistör, maksimum 40V collector-emitter voltajı ve 3A collector akımı ile çalışabilir. 1.56W güç dağıtım kapasitesine sahip olup, geniş işletme sıcaklık aralığında (-65°C ile 150°C arasında) kullanılabilir. Vce doyma voltajı 1.2V (375mA taban akımı, 3A collector akımında) ve 3MHz transition frequency ile orta-hız anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Düşük DC current gain değeri (10 @ 3A, 4V) nedeniyle yüksek akım anahtarlaması gereken endüstriyel kontrol, motor sürücü devreler ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 3 A
Current - Collector Cutoff (Max) 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition 3MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power - Max 1.56 W
Supplier Device Package DPAK
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.2V @ 375mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok