Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
MJD31CT4G
TRANS NPN 100V 3A DPAK
MJD31CT4G Hakkında
MJD31CT4G, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür. TO-252 (DPak) surface mount paketinde sunulan bu transistör, 100V collector-emitter breakdown voltajı ve 3A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 1.56W maksimum güç yönetimi kapasitesi ile anahtarlama devreleri, motor kontrolü, güç yönetimi ve amplifikasyon uygulamalarında yer alır. -65°C ile 150°C arası çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sağlar. 3MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. Saturation voltajı 1.2V @ 3A ile verimli anahtarlama davranışı gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 10 @ 3A, 4V |
| Frequency - Transition | 3MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.56 W |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.2V @ 375mA, 3A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok